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主题：【原创】新科技动向 -- btest
新科技动向 – Nand Flash memory
东芝和东芝情报系统，共同发表论文。使用多层存储器形成技术，他们开发成功了非常高集成度的Nand Flash memory. 东芝以前利用Nand string技术，开发出了高集成度的Flash memory, 这次，他们在Nand string里加入了U字型管道结构，可以一个cell里存储多个值。他们用60nm的制造技术试作了层数16的32Gbit的测试芯片。在这个芯片上，memory cell的每位面积为0.00082平方微米，这是非常小的。在一个10mmx10mm的面积里，可以摆放120Gbit的memory cell. 这个结果将会得这次VLSI Technology学会的最高论文奖。
另外，台湾的Macronix International Co., Ltd.也发表了一篇论文。他们使用嵌入式扩散通道FinFET, 开发了Nand Flash Memory. 采用FinFET技术，存储窗的最适化和多次擦写耐久性可以得到改善。
综合上面两个技术，可以制造出非常便宜和耐用的SSD.
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🙂【原创】新科技动向
🙂这个东东牛 1 邓侃 字349 2009-05-20 17:40:06
🙂一个Cell多个值会减低性能吧 上面空气好 字181 2009-05-18 02:32:53
🙂1个cell多个值，不见得会减低性能，这个要看你做得 btest 字169 2009-05-18 02:40:13
🙂MLC不就是一个cell有多个值，结果性能就下来了。 上面空气好 字0 2009-05-18 02:44:22
🙂MLC还做得不够好，目前是这样的。但是，随着技术的进步 btest 字36 2009-05-18 02:51:26
🙂ssd比硬盘到底性能高多少啊？ 妃茵 字101 2009-05-18 00:07:06
🙂目前最好不要抢 SSD 的鲜尝。 1 萧萧易水 字500 2009-05-18 02:37:00