主题：【原创】话说memory -- 无梦到徽州

首先先道个歉，从去年坑到今年，实在有些过意不去，总算年会结束，该发的文章也交出去了，多了些空闲时间，就来填坑吧，可惜下周又要忙起来了，只好抢在周日的晚上来填上一点土。希望看文的各位铜子砖轻点砸，不好意思啊。

PCRAM咋一看，容易误以为是说电脑上的内存条，PC-RAM嘛，实际上，它是Phase Change Random Access Memory的缩写，是一种新型存储器，也是一种Non Volatile的存储器。

PCRAM的原理很简单，顾名思义，是一种利用Phase Change也即中文所说的相变原理的存储器。利用物质的两个不同相来分别对应0和1，用控制相变过程的方法进行数据的改写。

目前PCRAM利用的是硫系玻璃，以它的晶体态和无定形态两个状态来存储数据，用加热的方法来控制晶体态和无定形态之间的相变。其实这和光盘很有些相似，毕竟光盘用的也是硫系玻璃，只是PCRAM用的是电加热而非激光加热，改变的是材料的电阻率而非折射率，无需激光挪来挪去，所以具有随机存储的特性。

上边是PCRAM的示意图，可见，在加热以后发生相变，硫系玻璃材料从晶体变成了无定形体（右边那块），电阻率上升。

PCRAM的优点主要有结构简单易扩展，读写速度不错以及能耗低这几点，但也有一个弱点就是寿命问题，用过CD-RW的盘片的人都知道，说是可擦写，可实际上擦写几次之后数据就会读不出来了，这主要是因为材料老化了。同样也是使用硫系玻璃的PCRAM也具有这一先天弱点，虽然PCRAM的寿命比起Flash来说还是很可观的，所以并不妨碍它对目前的Flash Memory形成挑战，但比前面提到的MRAM来，还是少了至少五个量级，也就是十万倍。其实换个思路想想，PCRAM是通过改变原子排列来改写数据的，这和改变电子自旋排列的磁存储比起来，显然有先天的劣势。学过点固体物理的都知道，完美晶体是罕见的，晶体内的缺陷会使得晶体性质发生改变，而PCRAM这样频繁多次改写，会促成其存储晶体内的大量缺陷生成，最终导致无法生成足够好的晶体态而写入失败。

不过，虽然PCRAM有寿命这一缺陷，但由于原理和结构的简单性，PCRAM在工艺上比MRAM容易实现的多，目前已经有三星宣布进行512MB的量产，相信不久的将来，可能某些智能手机上就会出现它的身影了。