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主题：【讨论】Intel宣布芯片制造技术重大突破 -- forsake
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复 你说得是3D封装
能够外延第一层3-D结构就没有理由不能在上面再作n层。籽晶不是问题，由激光退火后慢冷却形成薄的单晶层已经制成SOI集成电路了。
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压缩 2 层
🙂送个通宝给你吧 饽饽饽饽 字154 2011-05-05 19:55:33
🙂回宝 山青青 字0 2011-05-05 22:29:28
🙂你说得是3D封装 闲看蚂蚁上树 字98 2011-05-05 11:39:58
🙂目前第三维其实是SiGe外延上去的
🙂即使搞出来，成本也不划算 闲看蚂蚁上树 字28 2011-05-05 12:48:57
🙂我觉得主要是第三维如果做得越窄 司徒彼 字82 2011-05-05 10:56:36
🙂谢谢解惑 forsake 字83 2011-05-05 08:46:04
🙂这个3-D的意义在于开启了多层3-D构造的时代 3 山青青 字155 2011-05-05 12:51:47