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主题:[扫描粘贴]3D助力航空制造(补说明) -- njyd

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家园 根据俺一点浮浅的半导体知识。

  这应该是一种改进的Flash ROM。

  俺这些英文记不大清,可能有错。

  最早的ROM只能制造时写入程序数据,然后出现可一次写入的(烧断内部熔丝)PROM,然后再出现可多次写入的EPROM,但只能用紫外线一次全部擦除再写,这些对联机来说都只能一次写入,所以是只读存储器。

  后来出现的E2PROM,可以电擦除,还可以按字节擦除写入,但容量较小。现在的Flash ROM好象也叫闪存?容量也够大,使用时可读可写。但要命的是读出还可以,写入就特慢,比RAM慢得太多,这个特性决定了在计算机系统中只能作为外存,相当于比较快的硬盘。

  他这个改进报道中只说速度提高了一千倍,我看应该是提高的只是写入速度,读出本来高相当快。

  虽然速度提高一千倍,但与高速的RAM相比应该还会有差距。另外,他这个每位多了一个晶体管,而原来的Flash ROM一位也只有一个管子,那么同样的半导体技术下他这个密度会降低一半。

  如果我猜的是对的话,这技术可以直接用在计算机内存上。但对速度要求高的通用计算机中还有点差距,适用于速度要求不那么高,而又需要断电时不丢失数据的镶入式微机控制及高速数据采集系统中。前途是有的,但还够不上诺奖级。

  有待专家砸砖。

通宝推:桥上,
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