主题：夏普搞清了RRAM的机理，将在2010投产 -- 千僧

关于下一代不挥发存储器ＲＲＡＭ的基础技术开发

夏普与产业技术综合研究所共同研究，开发了能以闪存的100倍高速改写的下一代不挥发

存储器“ＲＲＡＭ※1”的新型高速改写方式的基础技术※2。

这是通向实用化的第一步成果，今后将继续开发集成化技术和精细加工技术，向实用化迈进。

ＲＲＡＭ是通过金属氧化膜的电阻变化来记忆信息的存储器单元，因为可以以低电压来

高速驱动，作为低耗电大容量高速改写的下一代存储器备受业界期待。但是，作为

ＲＲＡＭ的基础的金属氧化膜的电阻变化机理一直未被搞清，难以做出ＲＲＡＭ的特长的

元件。

这次，本公司与产业技术综合研究所共同研究，着眼于ＲＲＡＭ存储单元记忆信息的电阻

变化部分之外的阻抗部分，开发了至今未加控制的阻抗成分在写入和清除信息时发生

变动的“高速单极开关方式”。本来需要正负二个电源对ＲＲＡＭ进行写入和擦除、

现在只要单一电源，电路构成更简单并成功地使存储单元进行工作。这样，能低耗电且高速改写的ＲＲＡＭ的单元构造大幅简单化，单元尺寸也能做得更小。并且，因为用与一般的ＣＭＯＳ处理高度一致的材料、既存的生产线就能使用。

今后，推进切实研究开发存储元的集成化技术和精细加工技术，解决面向实用化的课题。

※1　ＲＲＡＭ：Resistance Random Access Memory、ＲＲＡＭ是夏普株式会社注册商标。

※2　本研究开发的一部分、受ＮＥＤＯ（新能源产业技术综合开发机构）的委托。

译者注：也就是说一部分研究经费来自这个（国立）机构

产业技术综合研究所和新能源产业技术综合开发机构都是日本经济产业省的

下属研究机构