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主题:高端芯片国产化封装技术上取得重大突破-请高人解读 -- 尖石

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花谢
家园 焊点小不是大问题

楼下已经有人提过了,主要是寄生电阻/电容/电感,以及层和层之间的耦合等等问题,尤其在信号已经是GHz的频段。

小焊点,阵列式等其实也是为上面的目的服务的。

家园 那些小点是焊锡球,直接对准印刷电路上的焊点

放下去,用热风吹加热到180度焊锡熔化就把IC在印刷电路上焊牢了。这些IC底板上的焊锡球是利用金属自身的表面张力让小块电镀在底板上的焊锡加热熔化后自行收缩成球的。就像水银落到桌面形成球的原理一样。

家园 花,那这个小焊锡球岂不是也很小?

这样看来,这个小球直径只有0.01mm甚至更小.这个焊锡球又是怎么做出来的?

基本上我想问的是是不是要做0.01mm大的东西,必须有0.001mm精度的工具?本人不是学机械的,一直没想通这个事情

家园 不止这么大,可以根据那42mm估算出来。
家园 焊锡球至少有0.5mm的直径,看电影

外链出处

家园 花楼上两位,我想错了

想成芯片哪里的封装了

我看我朋友能喷0.1mm的焊点出来(就是像打印机那样喷),信心满满的想自己开厂做焊接设备,所以很好奇他是什么水平,这样看来,他这个东西做封装肯定不行,做这个锡焊还是没问题的,只是不知道成本有没有优势。

家园 这就不知道了,俺只了解一点常识,细节就不清楚了。
家园 支持一下

不过路还是很长。

而这句:

目前该产品已经通过了用户单位的DFT以及功能测试,达到设计指标,且得到了很高的评价,被认为仅用了国外封装厂一半的时间,产品整体性能全面超过国外封装厂封装的同一产品。

前面一半理解,后面一半不明白。如果是wafer在封装厂上线开始计时,有些意义,如果是wafer到封装厂开始计时,估计是记者绞尽脑汁发掘亮点憋出来的。而今年得到的信息是:所有的fab/封测厂都是排不上线。比国外封测厂快十倍也是没有意义的。

尽快从实验室走到工厂才是王道。

家园 意义没有想象中的大,但总是进步

芯片设计在芯片行业中属于上游,也就是说科技含量更高,利润更高。此项技术的突破,有利于我国打破发达国家在该领域的技术垄断。

但是,芯片的生产,从设计到封装、测试,离不开大型的精密仪器

目前我国尚未有生产此类设备的能力,只能生产周边配件或小型仪器。以国内芯片行业最具有规模的中芯国际为例,其大型设备全部为进口。

我也只是对这个行业略有所了解,对这门专项技术知道的并不多

不过可以肯定,即使这项技术我们达到了世界领先水平甚至最先进水平,相关设备及其他技术跟不上,仍然不会对IC产业格局有较大影响!

千里之行始于足下,期待我国的科学技术取得长足进步,一步一个脚印的赶超发达国家。

家园 还是基础工业不行啊

不要说那么多复杂的封装设备了,就说说用到的原料,有几个是国产的?封装我兄弟干过,我只是一般了解。我干过半导体的前道。扩散炉的石英炉管,有部分换用国产了,可是一打听这些生产炉管的高纯度原料啊,加工设备啊还是进口的。光刻的胶高档的还是进口,使用的高纯硫酸硝酸盐酸是江阴生产的可是要不是外资要不是,花了老大力气买了外国设备生产的,溅射用的高纯度铝靶,铜靶还是进口,就连TNND设备上换下来的轴承,弹簧都是德日进口或者子公司在第三世界国家的工厂生产的

家园 说错了别怪我

FC BGA 就是Flip Chip BGA 封装了。但凡这样的高端芯片都有这样若干特点,比如die 面积大,工作频率高,发热量大,IO数量多,有高速信号。比如像这样的用于互联的交换芯片,往往有相当多的高速serdes,追求的是在单位IO管脚的带宽。比如常见的10G Ethernet的XAUI interface,工作在3.125Gbps。后来的PCI-e 2.0到了5.0Gbps。这样高速信号,必然会受到封装的电气特性影响(比如IO脚上的分布电感)。又比如发热这个问题。现在芯片发热量都是惊人的,严重影响芯片的长期可靠性。像intel 安腾处理器单个可到200W的发热量,却可以满足高端服务器的要求。那200w的热量需要从die散发到环境中去,而不能让结温度过高,影响长期可靠性。因此,封装的热阻就必须很小。说这些,就是想说封装是芯片设计中非常重要的一环。

FCBGA算是非常理想的封装了,可以满足所有这些高端芯片的要求。主要的缺点就是贵。非常贵!以前我有印象就是一个芯片封装就要10美元以上!你就掂量一下这个芯片该买多少钱吧。但是FCBGA本身也不是什么很高端的技术,主要它是服务小众市场,用的人少。除了CPU,GPU,高端FPGA外,大概就是高性能的交换芯片用得起了。

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