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主题：挥发性存储器 -- btest
家园 挥发性存储器 前两天介绍了一个非挥发性存储器的最新技术进展。
今天来介绍一个挥发性存储器的新技术。
这是一家叫做innovative silicon公司的产品。这家公司的产品叫做Z-RAM.所谓Z-RAM就是Zero-capacitor DRAM.我们都知道现在的大家都用得最欢的DRAM是由一个三极管和一个电容组成的。电荷存储在电容里，有电荷就是1，没有电荷就是零。电容，不管怎么做，都是要漏电的，时间长了，这个电就漏得差不多了。所以，要在漏到1,0之间的临界值之前，往电容里面充电，俗称刷新。这个耗能量，也耗时间。影响到了速度和功耗。尤其让人不爽的是，在集成电路的工艺里面，做个电容很不爽，线宽越小，电容越难做。所以，越发展，DRAM的成本越高。而现在的这个Z-RAM却不同，很简单，它就是由一个三极管组成，没有电容。因此，体积小，密度高，不要刷新，工艺也单一，只要做三极管就行。所以，现在是取代传统DRAM的好东东，特别适合于跟其他逻辑混合在一起，做成一个芯片。它的电荷存在三极管的源和漏的沟道里，中间加了个SOI，硅氧化绝缘栅。通过，检测这个三极管导通的栅极阀值来得到逻辑的1和0。栅极阀值低的，说明沟道里面的电荷多，那么就是1，否则就是0。从理论上，这些很说得通，该技术也被很多学会和杂志评了很多大奖，但是现在，却没有见到真正可以使用的产品出来，不知为何。为了开发这个产品，该公司到今年累计投资了2.5亿美金。
对于，这个技术，我比较看好。
http://www.z-ram.com/index.php
关键词(Tags): #Z-RAM，- 复 挥发性存储器
家园 这个好象不叫三极管，应该叫（绝缘栅）场效应管。 也叫CMOS管。
三极管的三个极是“发射极”、“基极”、“集电极”。
场效应管是源、栅、漏极，相对应于三极管的发射、基、集电极。
再加上有“硅氧化绝缘栅”可以认定是绝缘栅场效应管。还有一种效应管叫结型场效应管，但这种管子栅极与源、漏极的沟道之间不绝缘，只有类似二极管的PN结。
你这个文中可能还有个错误：
它的电荷存在三极管的源和漏的沟道里，这个沟道里是存不住电荷的，因为沟道与源和漏之间电阻不大，有电荷会极快地漏掉。应该是存在栅极里。栅极与沟道之间有一层氧化硅薄膜，绝缘度极高，而且栅极上的电压（栅极与沟道之间的电容很小，有一点电荷就会产生较高的电压）会改变沟道的导通度。它这个也不是没有电容，只是没有单做个电容，栅极与沟道之间就是个小电容，它是利用这个本来就有的电容代替了单做的电容。
从你说的这些看，有点象Flash存储器。
家园 粗粗看了一下 其原理是利用floating body的电荷改变mos管开关阈值。这样可以清晰的读取数据而且读取操作不削弱存储的电量。等于是把信号放大的一级。写入好象是利用impact ionization 来产生正电荷。不知道如何具体操作，在源漏之间加过电压？
SOI的隔离层恐怕不是指栅级（为什么叫栅？）和沟道之间。通常说的是burried oxide, 埋在body下面的。
- 复 粗粗看了一下
家园 原文看不懂，从你说的看好象是双栅MOS管？ 两个栅极都能同时控制沟道的导通程度，具体结构没见文章介绍过。这种管子现在也不见有人用也不见产品，但我在八十年代买到过几十只，现在还保存着。
原先想用这管子做电子琴，用一个栅极输入音频信号，用较宽的微分波输入另一个栅极控制放大量，以形成钢琴音，也可以用弹键的轻重来控制声音的强弱。当时单元电路已经试验通过，但出现了电脑芯片的可以模拟多种音色的电子琴就扔下了。
家园 SOI 是指硅片上每个晶体管都可以互相彻底隔离开来。一般的工艺所有的nmos共享p substrate,bulk实际上是互相导通的，虽然会想办法尽量隔离不同的器件。pmos的nwell和p substrate 也就差一个pn结。在SOI工艺中，每个晶体管的body从周边（deep trench, 深度隔离沟）和下面(buried oxide)和其它器件完全隔离开来，所以它可以保持body的电荷量(不知详情如何）。这个工艺可以说是古董了，虽然现在又有了新的兴趣和发展，主要的应用在高压上面。
我没接触过双栅mos管,80年代我只知道电阻电容
。猜想是不是分离器件拿SOI硅片底部当第二栅级用？向前辈问个好。这个gate为什么翻成栅级？- 复 SOI
家园 你这一堆洋文俺只看懂个mos 翻成栅级我的理解基本上就是楼下蚂蚁说的那样，可能是场效应管的这个极特性非常象电子管的栅级？
晶体管的工艺我只知道点皮毛，只知道大概结构，细节就不知道了。
- 复 SOI
家园 这个翻译么，应该是电子管来得喽 电子管里的栅极是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极,插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。
你看那个网状结构是不是象栅栏。
其实集成电路里，国内以前都叫多少多少门电路。那个倒是直译gate了。
你那个soi肯定把老南京给说晕了。没图没真相啊。
SOI现在也不光用在高压电路上。以前不用在一般电路上，主要原因还是成本问题。AMD的45纳米CPU好象是SOI的。不过到了22纳米，甚至更小，bulk的成本增加很快。SOI很有可能再次热起来。
PS, FIN FET 你了解么？
家园 那个沟道电荷应该不是错误。 光栅极里有电荷，沟道无电荷的话，如何构成一个电容？你画画一个FET的CV曲线，看看为什么会有那些变化就明白了。
家园 我说的不够准确。 应该是只有在栅极上才有不易流失的电荷。
家园 Well mos transistor vs bipolar transitor. 都是三级管
家园 这个我是故意的。对于大多数的人来说，三极管更通俗嘛。 你说的有道理。但是也没有这么简单。他们利用了一个最新的发现，是在设计CPU的时候发现的现象，叫Floating Body Efect.他们的首席科学家和CTO马上发现这个技术可以用来设计DRAM，马上离职，出来搞了这个公司，推广这个技术。具体的技术说明，可以看他们公司的网站或者是他们在学会上发表的论文。
家园 叫晶体管就好。 三极管的误导太大。
