主题：挥发性存储器 -- btest

前两天介绍了一个非挥发性存储器的最新技术进展。

btest:【原创】新科技动向

今天来介绍一个挥发性存储器的新技术。

这是一家叫做innovative silicon公司的产品。这家公司的产品叫做Z-RAM.所谓Z-RAM就是Zero-capacitor DRAM.我们都知道现在的大家都用得最欢的DRAM是由一个三极管和一个电容组成的。电荷存储在电容里，有电荷就是1，没有电荷就是零。电容，不管怎么做，都是要漏电的，时间长了，这个电就漏得差不多了。所以，要在漏到1,0之间的临界值之前，往电容里面充电，俗称刷新。这个耗能量，也耗时间。影响到了速度和功耗。尤其让人不爽的是，在集成电路的工艺里面，做个电容很不爽，线宽越小，电容越难做。所以，越发展，DRAM的成本越高。而现在的这个Z-RAM却不同，很简单，它就是由一个三极管组成，没有电容。因此，体积小，密度高，不要刷新，工艺也单一，只要做三极管就行。所以，现在是取代传统DRAM的好东东，特别适合于跟其他逻辑混合在一起，做成一个芯片。它的电荷存在三极管的源和漏的沟道里，中间加了个SOI，硅氧化绝缘栅。通过，检测这个三极管导通的栅极阀值来得到逻辑的1和0。栅极阀值低的，说明沟道里面的电荷多，那么就是1，否则就是0。从理论上，这些很说得通，该技术也被很多学会和杂志评了很多大奖，但是现在，却没有见到真正可以使用的产品出来，不知为何。为了开发这个产品，该公司到今年累计投资了2.5亿美金。

对于，这个技术，我比较看好。

http://www.z-ram.com/index.php

这样翻译更好些吧

从这个帖子的反应来看，河里的江湖上的朋友好像比较少，我以后就多和大家讨论讨论大家喜闻乐见的xxPhone,xx3G,xx上网本，xx网游，xx搜索，xx广告，xx山寨吧。

印象里，老成都和小宋一刀是江湖里的人。

中国能做出来就好了，上次不是有个河友要风投，这个项目挺好

大家都晓得，现在的计算机，不管是笔记本还是上网本，都是采用的南北桥结构。这个东西做出来的话，计算机的机构就会有大的变化了。简单的说，计算机会变得更轻巧，更省电，更简单，更容易山寨，性能也更好。

因为现在的DRAM工艺特殊，很难跟CPU做在一起，也难跟GPU做在一起。而要有高性能，由必须要使用到大量的RAM。所以，现在，就用北桥来连接大量的DRAM.这个如果做成功，那么，DRAM就可以跟CPU和GPU做成一个芯片了。不需要北桥了，也就不需要南桥了。计算机将会变成一个超级处理器和一个USB3.0hub的结合体。超级处理器包括CPU和GPU和大容量的DRAM。Cache这个技术将成为过去，使得电路的设计变得非常的简单。让大家很头疼的，PCI/PCI express也会成为过去。超级处理器接个USB3.0的hub，所有的外围，都通过这个USB通信，网络，存储卡，键盘和鼠标，游戏手柄等。USB3.0的速度非常快，我没有看规范，好像有几个G的速率，那么现在的网络将会完全变样。实现高速传输完全成为可能，可以像电话线一样的实现直通，端到端，人类社会的生活将会彻底改观，现在的大热门云计算可能根本就不需要了。

当然，要实现这些也没有那么快，可能需要10年以上的时间，但是，这确实可以成为一个颠覆的技术。

http://en.wikipedia.org/wiki/MRAM

具有接近SRAM的速度，DRAM的density和Flash的non-volatility，还没有Flash的degradation，是universal memory，同时取代cache，RAM和disk，memory hierarchy就不需要了。想像一下，你打开电脑，不需要启动过程，屏幕立刻就出现你上次关机时候的界面。不过wiki说好像是因为现在Flash赚钱，供不应求，所以没有动力和资源去生产。

易失性存储器与非易失性存储器是正确的名词。

不过更多用英文缩写词。

如果把硬盘的读写速度提上去，耗电将下去，对计算机的性能提升将是革命性的,献花

MRAM没有发展起来是因为它的结构复杂和做不小的缺点。这两项缺点，使得它的前景不妙。虽然好像它是个universal memory,但是它既是做出来，大行其道，对于计算机的影响也基本没有。因为，计算机还是现在的结构，还是现在的结构的计算机，性能和使用方式不会有太大的变化和提高。所以，MRAM不能算是颠覆性的技术。

结构复杂，和做不小，必然成本非常高。而且不能和其他逻辑做到一起去，这都是非常糟糕的致命缺点。

呵呵。太多东西集成一块芯片，或封装一块芯片，成品率

太低，价格过高。

你提到的这个技术，也很难与CPU做在一起，一起曝做出来的。

而且和网络传输带宽没任何关系。

电脑其他的零件性能都是十倍的增长，唯独这个硬盘，容量倒是上去了，速度始终不行。