主题：挥发性存储器 -- btest

现在来看，暂时没有太好的办法来控制发热和温度，只有加个大风扇了。不过，从ARM和ATOM等处理器看，对于低功耗已经有一些心得了。那么，把这些处理器中用到的低功耗技术应用起来，再好好的整合，说不定，整个芯片的功耗能够做的比较好。

是指硅片上每个晶体管都可以互相彻底隔离开来。一般的工艺所有的nmos共享p substrate,bulk实际上是互相导通的，虽然会想办法尽量隔离不同的器件。pmos的nwell和p substrate 也就差一个pn结。在SOI工艺中，每个晶体管的body从周边（deep trench, 深度隔离沟）和下面(buried oxide)和其它器件完全隔离开来，所以它可以保持body的电荷量(不知详情如何）。这个工艺可以说是古董了，虽然现在又有了新的兴趣和发展，主要的应用在高压上面。

我没接触过双栅mos管,80年代我只知道电阻电容。猜想是不是分离器件拿SOI硅片底部当第二栅级用？向前辈问个好。这个gate为什么翻成栅级？

以前参与过一个老总的招人讲座，他讲想想十年前BP机时代，跟现在通讯条件对比，就可推知十年后IT业的发展。虽然加进了煽动效果，但是确实国内3G等等要铺开，加上成G流量的传输能力，以后信息化生活真是还要有爆发性的发展啊。

也有小问题：现在手机功能增强，移动上网方便起来，一些娃娃学生们拿手机在课堂上偷偷上网势必妨碍学习，这个新问题需要老革命解决了。

电子管里的栅极是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极,插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。

你看那个网状结构是不是象栅栏。

其实集成电路里，国内以前都叫多少多少门电路。那个倒是直译gate了。

你那个soi肯定把老南京给说晕了。没图没真相啊。

SOI现在也不光用在高压电路上。以前不用在一般电路上，主要原因还是成本问题。AMD的45纳米CPU好象是SOI的。不过到了22纳米，甚至更小，bulk的成本增加很快。SOI很有可能再次热起来。

PS, FIN FET 你了解么？

　　翻成栅级我的理解基本上就是楼下蚂蚁说的那样，可能是场效应管的这个极特性非常象电子管的栅级？

　　晶体管的工艺我只知道点皮毛，只知道大概结构，细节就不知道了。

兜底的马甲，这样差不离了吧。

倒不是我故意放洋屁，着实是记不得乡音了。

SOI的应用您说得对。SOI的超级隔离允许把晶体管做的很近。

FINFET我没用过，是不是类似与汉字优于字母文字的意思。XYZ三围，眼下XY越来越小，能玩的就是Z了。

电子管见过但没摸过。记得河里有人聊过电子管音响来着，很酷。

河里面懂IC的不少啊，SOI工艺噪声小，不过就是比一般的CMOS和SiGe贵多了