主题：关于产业升级 -- btest

产业升级已经成为中国政府的共识很多年了。尤其最近几年，血汗工厂已经越来越不能适应中国的社会发展了，沿海的工人荒也一年比一年严重。因此，产业升级和技术创新正变得越来越重要。

兄弟最近参与了一个将日本的先进技术引入中国的大战略项目。这个项目的目的就是把在日本已经成熟的，但是中国却正需要的技术引入中国，以帮助中国进行产业升级。前段时间跟三菱商事谈的事情，是这个项目的一部分。

现在我们想到的是在下列技术领域，跟中国的公司进行合作，以帮助中国的公司进行产业升级和技术创新。

- 汽车引擎ECU （正在跟中国的汽车厂商商谈中）

- 电动汽车/混合动力汽车的电池管理系统

- 工厂自动化(生产技术的建立，自动化生产线的建立)

- 芯片设计

- 嵌入式操作系统，平台

如果大家觉得在上述领域以外的其他领域也需要日本的先进技术，请回复我，并将技术领域列出来。我会建议我们的团队讨论这些技术领域。包括医疗，生物，农业，化工等都可以。

对上述技术领域感兴趣的任何公司和个人，都可以联系我。

本人没做以上的东西。

还是那句话，人家核心的东西怎么个合作法，能合作不。

精细陶瓷这个日本对中国有绝对优势。

日本公司的多晶硅电池铸锭ECM应该快实用化了，好像是Sumco，就算不输出技术，能把设备卖到中国来也好。就怕机器造出来了还是自己用来生产，不外卖，日本那点需求哪能和中国比。

日本人小心眼，光伏设备都是自己造自己用，现在中国市场就被欧美公司占了。

国内如今在功率半导体方面最需要突破的就是楼下建议的IGBT。这些新型功率器件使用的是IC的工艺，通常是0.5微米，出的是几十安的电流。传统功率器件厂没能力设计和流片，新的IC厂又不做功率器件。所以在技术上成了无人区。国内发展极快的电力控制应用又极其需要IGBT。非常看好这个技术引入中国的发展。

如果需要进一步的信息，可以短信联系。

但是，你要考虑到一个问题，就是建这样的生产线和工厂，需要投很多钱，你确信，中国有公司愿意投很多钱出来吗。我们只提供技术，帮助中国的公司来设计开发到量产，我们不会投很多钱。如果我们自己建厂，就跟一般的贩卖IGBT的公司没区别了。

现在做半导体都使用代工了。兴建一个半导体厂起码3000万美金。但是只设设计和部分关键工艺，其余都在代工那里做，500万美金足够了。关键是要有技术。

125度以上的，石油上仪器要用到，越深的井需要的温度越高。

为啥要igbt?

前期小规模流片进行测试调整也贵得很吧？不知道现在1微米以上流片，一片wafer多少钱？

虽然都叫半导体技术，但电力电子器件跟IT类IC现在已经是不同行业了，工艺并不尖端，用的设备都是集成电路厂淘汰下来的旧设备即可。新建生产线的投资不大。

现在按说IGBT类的电力器件已经不是高科技了，国内也有研究所说可以做，但这东西的难度是高可靠性，不是会不会做。不像消费电子的东西，这东西都要用在电网或大型设备上，质量不好的倒找钱也不会有人要。指望国内自身快速提高可靠性是很难的。

日本已经转型到SiC器件了，刚开始上市，断然是不会技术转移的。但很有可能将传统Si器件技术输出。

国内愿意接手投资的大把，上市公司中就有很多，比如中环之类的公司就可以

http://cj.zynews.com/stock/72/neican/2010-06-02/0000041317s.shtml

http://laoyaoba.com/ss6/?action-viewnews-itemid-80072

首先，为什么要用IGBT?

与Power MOSFET不同的是IGBT在芯片背面多了一个PN结。这样从MOSFET那里通过来的多子电流成了双极型三极管(由MOSFET的源-衬底结和芯片背面多加的结，二个背靠背的PN结)的基极电流。这个电流触发了从MOSFET的源到芯片背面的集-射的少子导通，形成普通三极管的正向放大导通。由这个导通的过程可见，是MOSFET控制了双极型三极管的导通。所以IGBT兼有大跨导和低正向压降的特点。IGBT用于开关导通时比MOSFET的损失几乎少一半，是电动车的必需。

现在国内代工厂流1微米工艺都是4-5寸的线，对于4-5层掩模版的工艺，4寸大约每片160元人民币，硅片另外算。当然最低量要求50片，不到50片也按50片收费。

igbt的cost也要多一些。不过4寸线的片子真是贼便宜啊，太便宜了。

现在弄个像样的服装厂也得这个数啊。

普通一个IC代工厂是10亿美元起的。而且现在有现成的生产线的不少，

这个东西门槛不高

http://www.tj.gov.cn/jmjj/cyfz/200709/t20070906_4715.htm